Evaluación de la estabilidad de la temperatura de amplificadores de potencia de GaN con condensadores de tantalio correspondientes

Evaluación de la estabilidad de la temperatura de amplificadores de potencia de GaN con condensadores de tantalio correspondientes
Escrito por: T. Zednicek | R.Demcko | M.Weaver | D. Oeste | T. Blecha | F. Steiner | J.Svarny | R. Linhart
Abstracto:
Se espera que los dispositivos de banda ancha GaN y SiC experimenten altos niveles de crecimiento en aplicaciones que van desde la conversión de energía hasta transistores de RF y MMIC. Los usuarios finales reconocen las ventajas de la tecnología GaN como su capacidad de operar bajo corrientes y voltajes más altos. Se espera que el mercado RF GaN crezca a una tasa compuesta anual del 22.9 % entre 2017 y 2023, impulsado por la implementación de redes 5G. [1]

Durante los últimos años, los semiconductores de banda ancha han logrado alcanzar >1000 V BDV, lo que abre nuevos desafíos para aplicaciones industriales de alta potencia, como sistemas de tracción eléctrica en tranvías, trolebuses o trenes de alta velocidad, etc.

Los condensadores de tantalio de desacoplamiento y adaptación BIAS se utilizan debido a su estabilidad del valor de capacitancia en un amplio rango de temperatura, capacitancia estable con BIAS y sin sensibilidad al ruido piezoeléctrico en tamaños de carcasa pequeños y de bajo perfil. No son propensos al desgaste asociado con los condensadores electrolíticos de aluminio y exhiben una alta confiabilidad y estabilidad en temperatura, voltaje y tiempo.

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