Los diodos de barrera Schottky no son uniones PN, sino diodos que utilizan barreras potenciales entre materiales semiconductores y electrodos metálicos, por ejemplo, barrera Schottky. Tienen características de tensión directa (VF) más baja y un tiempo de recuperación inversa (trr) más corto que los diodos de unión PN típicos, lo que los hace adecuados para operaciones de conmutación. Sin embargo, la corriente inversa (IR) es mayor que la de los diodos PN convencionales.