RESUMEN
LIBERACIÓN
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Uso de componentes pasivos fuera del chip para maximizar el rendimiento de GaN y reducir costos
Décadas de investigación y desarrollo dedicados a la tecnología de semiconductores de potencia de RF GaN han dado lugar a una oferta cada vez mayor de dispositivos de potencia de RF asequibles con un rendimiento impresionante. Los semiconductores GaN tienen una capacitancia material reducida y una movilidad electrónica mejorada, lo que resulta en...
microondasjournal.com
Octubre de 2021
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