Componentes pasivos para dispositivos basados ​​en GaN

Abstracto:
Los límites teóricos del rendimiento de los dispositivos basados ​​en silicio se acercan rápidamente y, en algunos casos, ya están aquí. Por lo tanto, las empresas de diseño de circuitos integrados (CI) han centrado sus esfuerzos en reducir los costos y al mismo tiempo aumentar el rendimiento de los semiconductores de banda prohibida ancha como el GaN (nitruro de galio).

Gracias a esos intensos esfuerzos, ahora hay dispositivos de RF (radiofrecuencia) y de energía basados ​​en GaN disponibles de varios fabricantes a precios asequibles.

Múltiples fuentes han documentado las ventajas de rendimiento de los semiconductores basados ​​en GaN: mayor velocidad, menor pérdida y operación de mayor frecuencia, voltaje y temperatura. Esas ventajas, a su vez, permiten sistemas finales que tienen un rendimiento mejorado con niveles de consumo de energía más bajos en paquetes más pequeños y livianos, que son más confiables.

Los dispositivos GaN necesitan componentes pasivos de alto rendimiento y crean la necesidad de familias completamente nuevas de dispositivos pasivos.