Un estudio de cristalización de campo en condensadores de tantalio y su efecto sobre el DCL y la confiabilidad
Escrito por: T. Zednicek | J. Sikula | H. Leibovitz
Abstracto:
El tantalio ha sido la tecnología de condensadores preferida para su uso en dispositivos electrónicos de larga vida útil gracias a la estabilidad de sus parámetros eléctricos y su alta confiabilidad. Las mediciones de rendimiento de la tasa de fallos a lo largo del tiempo muestran un número decreciente de fallos que prácticamente no provocan desgaste, a diferencia de otras tecnologías de condensadores. Como básicamente en cualquier material a temperaturas superiores al cero absoluto existen procesos que pueden provocar el deterioro del condensador, también existen procesos de autorreparación que son más efectivos y que resultan en una reducción general de la tasa de fallas. A pesar de este fenómeno, existen algunos mecanismos de degradación conocidos: cristalización en campo del dieléctrico amorfo Ta2O5 y migración de oxígeno [14]. Este artículo resume el estado actual del conocimiento sobre la cristalización de campo, centrándose en los factores de aceleración y los efectos prácticos de la cristalización de campo con respecto a DCL y la confiabilidad de los capacitores de tantalio.
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El tantalio ha sido la tecnología de condensadores preferida para su uso en dispositivos electrónicos de larga vida útil gracias a la estabilidad de sus parámetros eléctricos y su alta confiabilidad. Las mediciones de rendimiento de la tasa de fallos a lo largo del tiempo muestran un número decreciente de fallos que prácticamente no provocan desgaste, a diferencia de otras tecnologías de condensadores. Como básicamente en cualquier material a temperaturas superiores al cero absoluto existen procesos que pueden provocar el deterioro del condensador, también existen procesos de autorreparación que son más efectivos y que resultan en una reducción general de la tasa de fallas. A pesar de este fenómeno, existen algunos mecanismos de degradación conocidos: cristalización en campo del dieléctrico amorfo Ta2O5 y migración de oxígeno [14]. Este artículo resume el estado actual del conocimiento sobre la cristalización de campo, centrándose en los factores de aceleración y los efectos prácticos de la cristalización de campo con respecto a DCL y la confiabilidad de los capacitores de tantalio.
